Основні вимоги фотоелектричного обладнання для термопацій: фотоелектричний процес виробництва передбачає високу температуру та корозійну середовище, а продуктивність термопари є суворою:
1. Високотемпературна стійкість
Температура монокристалічної печі для росту кремнію (кристалічна тягнення печі) повинна досягти більш ніж 1500 градусів, і ** B тип (платиновий родій 30- platinum rodium 6) або тип S (Platinum Rhodium 10- platinum) використовуються.
Температура процесу спікання клітин-приблизно 800-1000 ступінь, а K-тип (нікель-хроміум-нікель-силікон) або N-тип (нікель-хроміум-силікон-нікель-силікон) зазвичай використовуються.
2. Корозійна стійкість
У процесі виплавки та покриття кремнію присутні пари кремнію та кислотний газ, а матеріал термопари для оболонки повинна бути стійкою до корозії (наприклад, кераміка, глинозем з високою чистотою, кварцовими трубами).
3. Довгострокова стабільність
Фотоелектричне обладнання постійно працює, і термопара повинна підтримувати точність (помилка<± 1.5°C) at high temperatures, and the life span is usually 1-3 years.
Основні сценарії застосування термопацій для фотоелектричного обладнання
Температурні діапазону температури Термопури Тип Термопури Технічні вимоги
Монокристалічний кремній 1400-1600 градус S-тип, B-тип висока точність, низький дрейф
Комірка спікання 800-1000 ступінь k-тип, швидка реакція N-типу, анти-окислення